新電子科技雜誌 01月號/2020 第406期

  • 出版日期:2020/01/04
  • 語言:繁體中文
  • 頁數: 148
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兼具高容量/可微縮優勢  新興記憶體崛起銳不可擋

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兼具高容量/可微縮優勢  新興記憶體崛起銳不可擋

“AI和5G等應用讓資料量大增,使儲存需求爆發;半導體產業因而轉向發展具高容量、更快速及低功耗等優勢的新興記憶體。”

物聯網(IoT)、人工智慧(AI)、5G、工業4.0等應用推升資訊量呈現爆炸性的成長,所有資料都必須在邊緣蒐集,並且從邊緣到雲端的多個層級進行處理和傳輸、儲存和分析。

因應如此龐大的資料儲存、傳輸需求,在DRAM、SRAM,以及NAND Flash等傳統記憶體已逐漸無法負荷,且再加上傳統記憶體的製程微縮愈加困難的情況之下,驅使半導體產業轉向發展更高儲存效能、更低成本同時又可以朝製程微縮邁進的新興記憶體。

AI/5G新應用催動新興記憶體發展腳步

AI、5G、IoT和工業4.0等發展讓資訊量呈現爆炸式的成長,而這些資料都必須在邊緣收集,接著從邊緣到雲端進行多個層級的傳輸、處理、儲存和分析,以將大量的資量轉變為有價值的資訊。此一趨勢不僅帶來全新的運算需求,資料量的猛烈成長,對於高容量、高讀寫次數及更快讀寫速度的記憶體需求也明顯上升。因此,新興記憶體如磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)、鐵電隨機存取記憶體(FRAM)、電阻式隨機存取記憶體(RRAM)和相變隨機存取記憶體(PCRAM)等便相繼興起。

工研院電子與光電系統所所長吳志毅(圖1)表示,5G與AI時代來臨,且產生的資料量更多、更廣,因此會有更大的儲存需求;而要有更快的運算效率,意味著記憶體的讀取速度也要再加快。因此,5G、AI的出現,驅使記憶體朝更大容量、更快讀取速度發展,也因此,各大記憶體業者開始加快並投入更多資源開發新興記憶體,能突破既有運算限制的下世代記憶體將在未來扮演更重要角色,期能在日後取代目前主流的三大記憶體產品(分別為DRAM、Flash和SRAM)。

※新電子科技雜誌簡介
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